Substrat Sic
video
Substrat Sic

Substrat Sic

Substraturile cu carbură de siliciu (SiC) sunt realizate dintr-un material foarte pur care combină siliciul și carbonul. Procesul de producție începe cu o tehnică la temperatură înaltă numită Transport fizic al vaporilor (PVT). În acest proces, pulberea de siliciu și carbon se transformă în vapori și apoi se răcește pentru a forma un cristal mare numit boule.

  • Livrare rapida
  • Asigurarea calității
  • Serviciu Clienți 24/7
Introducerea Produsului
Introducerea Produsului

 

Substraturile cu carbură de siliciu (SiC) sunt realizate dintr-un material foarte pur care combină siliciul și carbonul. Procesul de producție începe cu o tehnică la temperatură înaltă numită Transport fizic al vaporilor (PVT). În acest proces, pulberea de siliciu și carbon se transformă în vapori și apoi se răcește pentru a forma un cristal mare numit boule.
Buleta este apoi tăiată în felii subțiri cunoscute sub numele de napolitane și lustruită pentru a le face netede și reflectorizante. Această producție atentă asigură că fiecare substrat de SiC poate face față la temperaturi ridicate, conduce bine electricitatea și este foarte puternic. Aceste caracteristici sunt ideale pentru utilizarea în electronice care trebuie să funcționeze în condiții dificile, cum ar fi dispozitivele de alimentare, senzorii care funcționează la temperaturi ridicate și sistemele utilizate în medii dure. Substraturile din carbură de siliciu ajută la eficiența, durabilitatea și puterea dispozitivelor electronice.

70-1
70-2

 

FAQ

 

Î: Care este diferența dintre napolitanele Si și SiC?

R: Principala diferență dintre plachetele de Si (siliciu) și plachetele de SiC (carbură de siliciu) este materialul. Siliciul este un element pur, în timp ce carbura de siliciu este un compus de siliciu și carbon. Placile de SiC au rezultate mai bune în ceea ce privește rezistența la căldură, toleranța la presiune și mobilitatea electronilor, făcându-le potrivite pentru aplicații mai solicitante.

Î: Care sunt parametrii rețelei ai 6H-SiC?

A: 6H-SiC are un sistem cristalin hexagonal cu constante de rețea de aproximativ 3,081 Å (a) și 15,117 Å (c). Structura sa cristalină unică îi conferă proprietăți fizice și chimice excelente, utilizate pe scară largă în semiconductori de înaltă performanță.

Î: Ce înseamnă SiC în semiconductori?

R: În semiconductori, SiC este apreciat pentru proprietățile sale superioare, cum ar fi conductivitate termică ridicată, mobilitate mare a electronilor și rezistență ridicată la căldură. Aceste caracteristici fac SiC ideal pentru fabricarea de dispozitive electronice eficiente și durabile care pot funcționa în condiții extreme, cum ar fi cele utilizate în vehiculele electrice și în tehnologia spațială.

 

Tag-uri populare: substrat sic, China producători de substrat sic, furnizori, fabrică

S-ar putea sa-ti placa si

(0/10)

clearall